型号: | 2N4395 |
厂商: | SOLITRON DEVICES INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
文件页数: | 1/21页 |
文件大小: | 1128K |
代理商: | 2N4395 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N4396 | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N5662 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-5 |
2N5410 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2N4896 | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5251 | 90 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N4396 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
2N4397 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN |
2N4398 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N4399 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N439A | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS |