收藏本站
参数资料
型号： 2N4400D27Z
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数： 13/16页
文件大小： 519K
代理商： 2N4400D27Z
Test Circuits
30 V
1.0 K
16 V
0
≤≤≤≤≤ 200ns
500
200
50
37
- 1.5 V
1.0 K
6.0 V
0
30 V
FIGURE 1: Saturated Turn-On Switching Timer
NOTE: BV
= 5.0 V
FIGURE 2: Saturated Turn-Off Switching Time
EBO
1k
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
2N4400
/
MMBT4400
相关PDF资料
PDF描述
2N4400J05Z 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400J18Z 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400H1TA 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400D75Z 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4400RLRB 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N4400RA 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400RLRB 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2N4400TA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400TA_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400TAR 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*