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参数资料
| 型号： | 2N4920-BP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | 2N4920-BP |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(1)
(VCE=1.0Vdc, IC=50mAdc)
(VCE=1.0Vdc, IC=500mAdc)
(VCE=1.0Vdc, IC=1.0Adc)
40
30
10
150
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, IB=0.1Adc)
---
0.6
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, IB=0.1Adc)
---
1.3
Vdc
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, VCE=1.0Vdc)
---
1.3
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current-Gain Bandwidth Product
(IC=250mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0MHz)
3.0
---
MHz
COB
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, IE=0, f=100KHz)
---
100
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
(IC=250mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz)
25
---
* Pulse Test: Pulse Width=300us, Duty Cycle=2.0%
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
MCC
2N4920
Revision: 3
2006/05/17
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4920 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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