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参数资料
| 型号： | 2N5087D75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 13/18页 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | 2N5087D75Z |
3
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
300
350
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-
G
A
IN
BA
N
D
W
IDT
H
PR
OD
UC
T
(
M
H
z
)
V
= 5V
CE
C
T
Noise Figure vs Frequency
100
1000
10000
1000000
0
1
2
3
4
5
f - FREQUENCY (Hz)
N
F
-
N
O
IS
E
F
IG
U
R
E
(d
B
)
V
= 5V
CE
I
= - 250
A, R = 5.0 k
C
S
I
= - 500
A, R = 1.0 k
C
S
I
= - 20
A, R = 10 k
C
S
Wideband Noise Frequency
vs Source Resistance
1,000
2,000
5,000
10,000
20,000
50,000
100,000
0
2
4
6
8
R
- SOURCE RESISTANCE ( )
N
F
-
NO
IS
E
F
IGU
RE
(d
B)
V
= 5V
BANDWIDTH = 15.7 kHz
CE
I
= 10
A
C
I
= 100
A
C
S
Equivalent Input Noise Current
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
i
-
E
Q
UI
V
A
L
E
NT
I
N
P
U
T
NO
IS
E
C
U
R
E
N
T
(p
A
/
Hz
)
V
= - 5.0V
CE
i
, f =
100
Hz
n
C
n
2
√
i
, f
= 1
.0 k
Hz
n
i
, f =
10 k
Hz
n
Equivalent Input Noise Voltage
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
e
-
E
Q
UI
V
A
L
E
NT
IN
P
U
T
NO
IS
E
V
O
L
T
AG
E
(
V
/
Hz
)
V
= - 5.0V
CE
C
e
, f = 100 Hz
n
e
, f = 1.0 kHz
n
e
, f = 10 kHz
n
2
√
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
125
250
375
500
625
TEMPERATURE ( C)
P
-PO
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N5087G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5087RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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