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参数资料
| 型号： | 2N5087D75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | 2N5087D75Z |
Typical Characteristics (continued)
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-S
O
U
R
C
E
R
ESI
ST
ANC
E
(
)
BANDWIDTH = 1.5 kHz
10
dB
C
S
6.0 d
B
4.0 d
B
10
dB
6.0 d
B
4.0 d
B
2.0 d
B
V
= - 5V
f = 10 kHz
CE
1.0 d
B
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-SO
U
R
C
E
R
ESI
ST
ANC
E
(
)
12
dB
C
S
8.0 d
B
5.0 d
B
3.0 d
B
V
= - 5V
f = 100 Hz
BANDWIDTH = 15 Hz
CE
12
dB
8.0 d
B
5.0 d
B
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-SO
U
R
C
E
R
E
SI
S
T
A
N
C
E
(
)
10
dB
C
S
6.0 d
B
4.0 d
B
V
= - 5V
f = 1.0 kHz
BANDWIDTH = 150 Hz
CE
10
dB
6.0 d
B
4.0 d
B
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.01
0.1
1
10
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-SO
U
R
C
E
R
ESI
S
T
ANC
E
(
)
C
S
6.
0 d
B
4.
0 d
B
V
= - 5V
f = 10 MHz
BANDWIDTH
= - 2 kHz
CE
6.
0 d
B
4.
0 d
B
2.
0 d
B
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5087J18Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N5087G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5087RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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