- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41431 > 2N5087RLRE (ON SEMICONDUCTOR) 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5087RLRE |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 20/26页 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | 2N5087RLRE |
2N5087
2–43
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 1. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
3.0
Figure 2. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
1.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈ 0
IC = 10 A
100
A
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
30
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈∞
IC = 1.0 mA
300
A
100
A
30
A
10
A
10
20
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k
10 k
2.0
1.0 mA
0.2
300
A
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25°C)
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
Figure 3. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 4. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
0.5 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Figure 5. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Noise Figure is Defined as:
NF
+ 20 log10
en2 ) 4KTRS ) In
2RS2
4KTRS
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10–23 j/
°K)
= Temperature of the Source Resistance (
°K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1.0 k
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1.0 k
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1.0 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5087ZL1 | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5087RL1 | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5087RL | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089/D26Z-J22Z | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5088/D28Z-J22Z | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5087TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TF_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TFR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。