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参数资料
| 型号： | 2N5210RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/35页 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | 2N5210RL |
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2–51
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
50
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
50
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
50
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
50
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 35 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N5209
2N5210
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5209RLRE | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5209RLRA | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRM | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRAG | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5239 | 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5210RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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