- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30440 > 2N5210RL (ON SEMICONDUCTOR) 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5210RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/35页 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | 2N5210RL |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
2N5209 2N5210
2–52
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5209
2N5210
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5209
2N5210
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)(1)
2N5209
2N5210
hFE
100
200
150
250
150
250
300
600
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.7
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
VBE(on)
—
0.85
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 500 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
30
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
4.0
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N5209
2N5210
hfe
150
250
600
900
—
Noise Figure
(IC = 20 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 22 k,
2N5209
f = 1.0 kHz)
2N5210
(IC = 20 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 10 k,
2N5209
f = 1.0 kHz)
2N5210
NF
—
3.0
2.0
4.0
3.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5209RLRE | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5209RLRA | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRM | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRAG | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5239 | 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5210RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。