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参数资料
| 型号： | 2N5364 |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2N5364 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5359 | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5374 | 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N5384 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5388 | 7.5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N5398 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5365 | 制造商:GESS 制造商全称:GESS 功能描述:SILICON TRANSISTORS |
| 2N5366 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Switch Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5366 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N5366_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5366_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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