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参数资料
| 型号： | 2N5400S |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2N5400S |
1999. 11. 30
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N5400S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 2
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
: VCBO=-130V, VCEO=-120V
Low Leakage Current.
: ICBO=-100nA(Max.) @VCB=-100V
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
Low Noise : NF=8dB (Max.)
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-130
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-120
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-600
mA
Base Current
IB
-100
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : * Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6
)
Type Name
Marking
Lot No.
ZN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5400 | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5401 | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5416 | 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5428 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5400S_99 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| 2N5401 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Bipolar Trans PNP,0.6A,150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,412 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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