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参数资料
| 型号： | 2N5401 |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2N5401 |
2N5400 / 2N5401
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Emitter-Base-cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VEB = 3 V, (C open)
- IEBO
–
–-
50 nA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspannung 2)
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- IC = 50 mA, - IB = 5 mA
- VCEsat
–
0.2 V
0.5 V
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung 2)
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- IC = 50 mA, - IB = 5 mA
- VBEsat
–
1.0 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz
fT
100 MHz
–
400 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
- VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
CCBO
––
6 pF
Noise figure – Rauschzahl
- VCE = 5 V, - IC = 200 A,
RS = 10 , f = 1 kHz
2N5400
2N5401
F
–
8 dB
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 1)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
2N5550 / 2N5551
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150
100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
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