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参数资料
| 型号： | 2N5401RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | 2N5401RL |
2N5401
http://onsemi.com
66
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
50
60
50
—
240
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.2
0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VBE(sat)
—
1.0
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure
(IC = 250 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz)
NF
—
8.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
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