- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30443 > 2N5401RL (ON SEMICONDUCTOR) 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5401RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | 2N5401RL |
2N5401
http://onsemi.com
68
Figure 4. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.7
1.0
0.2
Figure 5. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0
TJ = 25°C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
2.5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
TJ = 25°C
Cibo
Figure 6. Switching Time Test Circuit
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.9
0.8
0.5
0.3
0.1
VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.3
3.0
30
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
Figure 7. Capacitances
10.2 V
Vin
10 s
INPUT PULSE
VBB
+8.8 V
100
RB
5.1 k
0.25 F
Vin
100
1N914
Vout
RC
VCC
-30 V
3.0 k
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.3
3.0
30
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
TJ = -55°C to 135°C
θVC for VCE(sat)
θVB for VBE(sat)
Cobo
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
0.7
7.0
t,TIME
(ns)
1000
100
200
300
500
700
10
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30 50
100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Turn–On Time
IC/IB = 10
TJ = 25°C
td @ VBE(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 120 V
t,TIME
(ns)
2000
100
200
300
500
700
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30 50
100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Turn–Off Time
1000
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5400RLRE | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5400RLRM | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5401/D74Z-J18Z | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401 | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5401-J61Z | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5401RL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401RL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。