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参数资料
| 型号： | 2N5433 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最大导通电阻7Ω的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | N沟道场效应（最大导通电阻7Ω的?沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2N5433 |
2N5432/5433/5434
4
Siliconix
S-52424—Rev. E, 14-Apr-97
Typical Characteristics (Cont’d)
50
20
10
0
1
10
100
40
30
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= 25_C
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
40
–55
25
125
32
24
16
8
0
–15
85
–35
5
45
65
105
On-Resistance vs. Temperature
T
A
– Temperature ( C)
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
I
D
= 10 mA
r
DS
changes X 0.7%/ C
100
0
–12
–16
–8
–4
–20
40
20
0
80
60
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
C
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
rss
Gate Leakage Current
0
4
8
12
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
16
20
100 nA
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
I
GSS
@ 125 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
5 mA
I
GSS
@ 25 C
10 mA
–
I
G
1 mA
100
10
1
10
100
1 k
100 k
10 k
Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 mA
I
D
= 40 mA
100
10
1
1
10
100
Transconductance vs. Drain Current
g
f
I
D
– Drain Current (mA)
V
DS
= 5 V
f = 1 kHz
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –4 V
I
D
= 10 mA
5 mA
1 mA
25 C
r
D
–
)
r
D
–
)
(
e
n
/
√
)
–
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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