- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30448 > 2N5550RLRM (ON SEMICONDUCTOR) 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5550RLRM |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/36页 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | 2N5550RLRM |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
2N5550 2N5551
2–60
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5550
2N5551
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5550
2N5551
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5550
2N5551
hFE
60
80
60
80
20
30
—
250
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
2N5550
2N5551
VCE(sat)
—
0.15
0.25
0.20
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
2N5550
2N5551
VBE(sat)
—
1.0
1.2
1.0
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
2N5550
2N5551
Cibo
—
30
20
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
50
200
—
Noise Figure
(IC = 250 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k,
2N5550
f = 1.0 kHz)
2N5551
NF
—
10
8.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6426 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N2925 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5232A | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5555RL | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5550RLRP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5550S | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N5550S_99 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N5550TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。