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参数资料
| 型号： | 2N5550RLRM |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/36页 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | 2N5550RLRM |
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2N5550 2N5551
2–61
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
500
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
–55
°C
25
°C
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
30
20
300
100
50
7.0
VCE = 1.0 V
VCE = 5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
IC = 1.0 mA
0
0.3
0.005
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
20
50
0.8
0.5
0.4
0.9
0.7
0.6
0.2
0.02
0.05
0.1
10
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
10 mA
30 mA
100 mA
5.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N5550RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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