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参数资料
| 型号： | 2N5551 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | 2N5551 |
DS11105 Rev. G-3
1 of 2
2N5551
POWER SEMICONDUCTOR
2N5551
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Features
High Collector to Emitter Voltage
Epitaxial Planar Die Construction
Compliments PNP Type 2N5401
General Purpose High-Voltage Amplifier
Gas Discharge Display Amplifier
Characteristics
Symbol
2N5551
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
160
V
Collector-Base Voltage
VCBO
180
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current - Continuous
IC
200
mA
Power Dissipation
(Note 1)
Pd
625
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
RθJA
200
K/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
83.3
K/W
Storage & Operating Temperature Range
Tj, TSTG
-55 to +150
°C
Case: TO-92, Plastic
Leads: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: Type Number
Weight: 0.18 grams (approx.)
Mechanical Data
D
CB E
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
TO-92
Dim
Min
Max
A
4.32
4.83
B
4.32
4.78
C
12.50
15.62
D
0.36
0.56
E
3.15
3.94
G
2.29
2.79
H
1.14
1.40
All Dimensions in mm
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
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PDF描述 |
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