型号: | 2N5759.MOD |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N5759.MOD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N5782.MOD | 3.5 A, 65 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
2N6274 | 50 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6277 | 50 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6287 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6298 | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N575A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 25A I(C) | STR-1/4 |
2N5760 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 6A 3PIN TO-3 - Bulk |
2N5764 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER BJT |
2N5769 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5769_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Switching Transistor |