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参数资料
| 型号： | 2N6287 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | BIP General Purpose Power |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2N6287 |
TECHNICAL DATA
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/505
Devices
Qualified Level
2N6286
2N6287
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
2N6286
2N6287
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-80
-100
Vdc
Collector-Base Voltage
VCBO
-80
-100
Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
-7.0
Vdc
Base Current
IB
-0.5
Adc
Collector Current
IC
-20
Adc
Total Power Dissipation
(1)
@ TC = +25
0C
@ TC = +100
0C
PT
175
87.5
W
Operating & Storage Junction Temperature Range
Top, Tstg
-65 to +175
0C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Max.
Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJC
0.857
0C/W
1)
Derate linearly @ 1.17 W/
0C above TC > +250C
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25
0C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC =-100 mAdc
2N6286
2N6287
V(BR)CEO
-80
-100
Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
VCE = -40 Vdc
2N6286
VCE = -50 Vdc
2N6287
ICEO
-1.0
mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
VCE = -80 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
2N6286
VCE = -100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
2N6287
ICEX
-0.5
mAdc
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = -7.0 Vdc
IEBO
-2.5
Adc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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TO-3*
(TO-204AA)
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PDF描述 |
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