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参数资料
| 型号： | 2N5760 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CAN-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2N5760 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N3848 | 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3849 | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5733 | 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5336CECC-D | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5764 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER BJT |
| 2N5769 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5769_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Switching Transistor |
| 2N5769_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5770 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Amp/Osc RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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