- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录298296 > 2N5883.MOD (SEMELAB LTD) 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5883.MOD |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | 2N5883.MOD |
SILICON EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 5981
Issue 3
Page 1 of 3
2N5883
High Voltage, Low Saturation Voltages.
Hermetic TO3 Metal Package.
Designed For Power Switching
and Linear Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage
-60V
VCEO
Collector – Emitter Voltage
-60V
VEBO
Emitter – Base Voltage
-5V
IC
Continuous Collector Current
-25A
ICM
Peak Collector Current
-50A
IB
Base Current
-7.5A
PD
Total Power Dissipation at
TC = 25°C
200W
Derate Above 25°C
1.14W/°C
TJ
Junction Temperature Range
-65 to +200°C
Tstg
Storage Temperature Range
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
Parameters
Max.
Units
RθJC
Thermal Resistance, Junction To Case
0.875
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6121 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6190 | 5000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N6230 | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N7000 | DMOS Transistors (N-Channel) |
| 2N869A | 200 mA, 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5884 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5884G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。