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参数资料
| 型号： | 2N5883.MOD |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | 2N5883.MOD |
SILICON EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
2N5883
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 5981
Issue 3
Page 2 of 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ
Max.
Units
V(BR)CEO
(1)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
IC = -50mA
-60
V
VCE = -60V
VBE = 1.5V
-1.0
ICEV
Collector Cut-Off Current
TC = 150°C
-10
ICEO
Collector Cut-Off Current
VCE = -30V
IB = 0
-2
ICBO
Collector Cut-Off Current
VCB = -60V
IE = 0
-1.0
IEBO
Emitter Cut-Off Current
VEB = -5V
IC = 0
-1.0
mA
IC = -3A
VCE = -4V
35
IC = -10A
VCE = -4V
20
100
hFE
(1)
Forward-current transfer
ratio
IC = -25A
VCE = -4V
4
VBE
(1)
Base-Emitter Voltage
IC = -10A
VCE = -4V
-1.5
IC = -15A
IB = -1.5A
-1.0
VCE(sat)
(1)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
IC = -25A
IB = -6.25A
-4
VBE(sat)
(1)
Base-Emitter Saturation
Voltage
IC = -25A
IB = -6.25A
-2.5
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
IC = -1.0A
VCE = -10V
fT
Transition Frequency
f = 1.0MHz
4
MHz
VCB = -10V
IE = 0
Cobo
Output Capacitance
f = 1.0MHz
1000
pF
tr
Rise Time
0.7
ts
Storage Time
1.0
tf
Fall Time
VCC = -30V
IC = -10A
IB1 = -IB2 = -1.0A
0.8
s
Notes
(1)
Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%
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| 2N5884G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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