收藏本站
参数资料
型号： 2N5884
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装： TO-3, 2 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 147K
代理商： 2N5884
2N5884
PNP Silicon
Complementary
Power Transistor
Features
This device is designed for general-purpose power amplifier and
switching applications.
Maximum Ratings(1)
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80
V
VCBO
Collector-Base Voltage
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current, Continuous
Peak
25
50
A
IB
Base Current
7.5
A
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Thermal Characteristics
Symbol
Rating
Max
Unit
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
OC
200
1.15
W
W/
OC
RJC
Thermal Resistance, Junction to Case
0.875
OC/W
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
VCEO(sus)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(2)
(IC=200mAdc, IE=0)
80
---
Vdc
ICEO
Collector Cutoff Current
(VCE=40Vdc, IB=0)
---
2.0
mAdc
ICEX
Collector Cutoff Current
(VCE=80Vdc, VBE(off)=1.5Vdc)
(VCE=80Vdc, VBE(off)=1.5Vdc, TC=150
OC)
---
1.0
10
mAdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=80Vdc, IE=0)
---
1.0
mAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=5.0Vdc, IC=0)
---
1.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(2)
(VCE=4.0Vdc, IC=3.0Adc)
(VCE=4.0Vdc, IC=10A)
(VCE=4.0Vdc, IC=25A)
35
20
4.0
---
100
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(2)
(IC=15Adc, IB=1.5Adc)
(IC=25Adc, IB=6.25Adc)
---
1.0
4.0
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(2)
(IC=25Adc, IB=6.25Adc)
---
2.5
Vdc
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
(2)
(IC=10Adc, VCE=4.0Vdc)
---
1.5
Vdc
1.
Indicates JEDEC Registered Data.
2.
Pulse Test: PulseWidth<300us, Duty Cycle<2.0%
TO-3
A
N
E
D
C
K
PIN 1.
BASE
PIN 2.
EMITTER
CASE.
COLLECTOR
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
1.550
REF
39.37
REF
B
-----
1.050
-----
26.67
C
.250
.335
6.35
8.51
D
.038
.043
0.97
1.09
E
0.55
0.70
1.40
1.77
G
.430
BSC
10.92
BSC
H
.215
BSC
5.46
BSC
K
.440
.480
11.18
12.19
L
.665
BSC
16.89
BSC
N
-----
.830
-----
21.08
Q
.151
.165
3.84
4.19
U
1.187
BSC
30.15
BSC
V
.131
.188
3.33
4.77
H
V
U
L
G
B
Q
1
2
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相关PDF资料
PDF描述
2N5930 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5929 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N4071 10 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N3714 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5930 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相关代理商/技术参数
参数描述
2N5884G 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 LEADFREE 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*