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参数资料
| 型号： | 2N5884 |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | 2N5884 |
10
0.3
Figure 3. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
5.0
3.0
0.7
0.5
0.1
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0
10
30
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
0.2
t,TIME
(s)
ts
3.0
1.0
7.0
20
7.0
tf
2.0
0.3
3000
0.1
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
300
2.0
5.0
10
20
100
50
0.2
0.5
1.0
C,
CA
PACI
TANCE
(pF)
2000
700
500
TJ = 25°C
1000
Cib
Cob
V C
E,
COLLEC
TOR-EMITTER
VO
LT
AGE
(VO
LTS)
2.0
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPERES)
0
0.02
0.1
0.2
1.0
10
0.8
0.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
5.0 A
1.2
1.6
0.05
0.5
10 A
2.0
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
7.0 10
30
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
20
VBE @ VCE = 4 V
5.0
2.0
5.0
20 A
Figure 4. Collector Saturation Region
Figure 6. “On” Voltages
2N5884
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5886 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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