- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49874 > 2N5884 (MICROSEMI CORP-LAWRENCE) 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5884 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N5884 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6330 | 30 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5958 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N5969 | 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6029 | 16 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6381 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5884G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5886 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。