- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49875 > 2N6381 (MICROSEMI CORP-LAWRENCE) 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6381 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N6381 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5960 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6609 | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6378 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6438 | 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6439 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6382 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 120V 50A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N6383 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 40V 10A 3PIN TO-204AA - Bulk |
| 2N6383SV | 制造商: 功能描述: |
| 2N6384 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6385 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 80V 10A 3PIN TO-204AA - Bulk 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, 10A, TO-3-2; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; Operating Temperature Min:-55C ;RoHS Compliant: Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。