型号: | 2N5960 |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 71K |
代理商: | 2N5960 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6609 | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6378 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6438 | 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6439 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
2N6467 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N5961 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5961_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5961_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5962 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5962 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |