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参数资料
| 型号： | 2N6033 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2N6033 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6036 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6037 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6034 | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6049.MODR1 | 4 A, 55 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6049.MOD | 4 A, 55 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6034 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6034G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6034SGS | 制造商:SGS 功能描述:2N6034 |
| 2N6035 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6035/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic Darlington Silicon Power Transistors |
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