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参数资料
| 型号： | 2N6427/D81Z-J14Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2N6427/D81Z-J14Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2282R-YD | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4939TR/DF | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1127-RA | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC4598-FD5L | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1061R-YA | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6427G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6427RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6427RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6428 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2N6428A | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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