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参数资料
| 型号： | 2N6516TA |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2N6516TA |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
2N65
16
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
a=25°C unless otherwise noted
Refer to 2N6515 for graphs
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
300
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
V
IC
Collector Current
500
mA
PC
Collector Power Dissipation
625
mW
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
BVCEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=1mA, IB=0
300
V
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC=100A, IE=0
300
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE=10A, IC=0
6
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB=200V, IE=0
50
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE=5V, IC=0
50
nA
hFE
* DC Current Gain
IC=1mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=10V
IC=30mA, VCE=10V
IC=50mA, VCE=10V
IC=100mA, VCE=10V
30
45
40
20
270
200
VCE (sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
IC=50mA, IB=5mA
0.3
0.35
0.5
1
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
0.75
0.85
0.9
V
Cob
Output Capacitance
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
6
pF
fT
Current Gain Bandwidth Product
IC=10mA, VCE=20V,
f=20MHz
40
200
MHz
VBE(on)
Base Emitter On Voltage
IC=100mA, VCE=10V
2
V
2N6516
High Voltage Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=300V
Collector Dissipation: PC (max)=625mW
Complement to 2N6519
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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