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参数资料
| 型号： | 2N6519RL |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | 2N6519RL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6517ZL1 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N652A | 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N6533-DR6260 | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6532-6255 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6532-DR6274 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6519RLRA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6519TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6519TA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N651A | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 2N651AJ | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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