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参数资料
| 型号： | 2N6520-BP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | 2N6520-BP |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(1)
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
40
200
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
6.0
pF
Emitter–Base Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
2N6515, 2N6517
2N6519, 2N6520
Ceb
—
80
100
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(VCC = 100 Vdc, VBE(off) = 2.0 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = 10 mAdc)
ton
—
200
s
Turn–Off Time
(VCC = 100 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = IB2 = 10 mAdc)
toff
—
3.5
s
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
NPN 2N6515 2N6517
PNP 2N6519 2N6520
MCC
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N6519-BP | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6517RL1 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6520RLRP | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6517RLRF | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6520BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6520RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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