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参数资料
型号： 2N6520-BP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3
文件页数： 5/7页
文件大小： 290K
代理商： 2N6520-BP
Figure 4. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
2N6515, 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
2N6519, 2N6520
Figure 5. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
2.5
2N6515, 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30 -50 -70
2N6519, 2N6520
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
2.0
3.0
5.0
70
2N6515, 2N6517
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
2N6519, 2N6520
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.4
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
-1.4
-1.2
0
-0.6
-0.8
-1.0
-0.4
-0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = -10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
R
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
R
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
-55°C to 125°C
IC
IB
+ 10
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
-55°C to 125°C
IC
IB
+ 10
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
7.0
10
20
30
50
-200
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50 -100
TJ = 25°C
Ccb
Ceb
Ccb
Ceb
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
100
2.0
3.0
5.0
70
1.0
7.0
10
20
30
50
NPN 2N6515 2N6517
PNP 2N6519 2N6520
MCC
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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PDF描述
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2N6520RL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6520RLRA 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6520RLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOA 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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