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参数资料
型号： 2N6520RL
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 180K
代理商： 2N6520RL
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520
http://onsemi.com
101
Figure 12. Turn–On Time – NPN 2N6515, 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
t,TIME
(ns)
1.0k
20
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
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50 70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
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30
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t,TIME
(ns)
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = -100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
t,TIME
(ns)
10k
100
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100
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1.0k
2.0k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
VCE(off) = -100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
ts
tf
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10
30
50
70
100
200
300
500
700
Figure 13. Turn–On Time – PNP 2N6520
Figure 14. Turn–Off Time – NPN 2N6515, 2N6517
Figure 15. Turn–Off Time – PNP 2N6520
相关PDF资料
PDF描述
2N6520RLRE 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6520ZL1 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1370C 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SA1370D 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SA1370F 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6520RL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6520RLRA 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6520RLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOA 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOB 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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