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参数资料
| 型号： | 2N6520RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | 2N6520RL |
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520
http://onsemi.com
102
Figure 16. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
10k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
t, TIME (ms)
Figure 17. Thermal Response
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(mA)
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
500
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Active Region Safe Operating Area
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
t1
1/f
DUTY CYCLE + t1 f +
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
TA = 25°C
1.0 ms
10 s
TC = 25°C
100 s
100 ms
+10.8 V
-9.2 V
+VCC
2.2 k
20 k
50
50 SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
VCC ADJUSTED
FOR VCE(off) = 100 V
APPROXIMATELY
-1.35 V
(ADJUST FOR V(BE)off = 2.0 V)
PULSE WIDTH ≈ 100 s
tr, tf ≤ 5.0 ns
DUTY CYCLE ≤ 1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
ZθJC(t) = r(t) RθJC TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
ZθJA(t) = r(t) RθJA TJ(pk) - TA = P(pk) ZθJA(t)
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
(PULSE CURVES @ TC = 25°C)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
CURVES APPLY
BELOW RATED VCEO
2N6515
2N6517, 2N6520
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6520RLRE | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6520ZL1 | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1370C | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1370D | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1370F | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6520RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6520RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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