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参数资料
| 型号： | 2N6520RLRM |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | 2N6520RLRM |
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520
http://onsemi.com
99
Figure 1. DC Current Gain – NPN 2N6515
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
200
100
20
30
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
Figure 2. DC Current Gain – NPN 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
200
100
10
20
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70
100
20
30
50
70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
10
100
20
30
50
70
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
TJ = 25°C
VCE = -20 V
f = 20 MHz
30
200
100
10
20
50
70
30
Figure 3. DC Current Gain – PNP 2N6520
Figure 4. Current–Gain – Bandwidth Product – NPN
2N6515, 2N6517
Figure 5. Current–Gain – Bandwidth Product – PNP
2N6520
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6515RLRA | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6520G | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6519RLRE | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6519RL | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6519RLRA | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6520STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6521 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | CAN |
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