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参数资料
| 型号： | 2N6519RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/37页 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | 2N6519RL |
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2–69
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
High Voltage Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6515
2N6519
2N6517
2N6520
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
250
300
350
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
250
300
350
Vdc
Emitter – Base Voltage
2N6515, 2N6516, 2N6517
2N6519, 2N6520
VEBO
6.0
5.0
Vdc
Base Current
IB
250
mAdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V(BR)CEO
250
300
350
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0 )
2N6515
2N6519
2N6517, 2N6520
V(BR)CBO
250
300
350
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
2N6515, 2N6517
2N6519, 2N6520
V(BR)EBO
6.0
5.0
—
Vdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
2N6515
2N6517
PNP
2N6519
2N6520
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
Voltage and current are negative
for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
REV 1
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PDF描述 |
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