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参数资料
| 型号： | 2N6659B |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2N6659B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6659 | 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6659 | 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N4351 | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72 |
| 2N6660-JQR-B | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660C4A-JQRS.XRAY | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6659-E3 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6660 | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6660 | 制造商:SOLID STATE 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39 |
| 2N6660_07 | 制造商:SUPERTEX 制造商全称:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 2N6660_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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