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参数资料
| 型号： | 2N6660B-1 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2N6660B-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6660B-2 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660 | 2000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N6660 | 990 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6661DCSM | 900 mA, 90 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N6674LEADFREE | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6660C4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6660CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6660CSM4_0809 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6660-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.99A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6660-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET 60V 1.1A TO-205AD |
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