型号: | 2N6660C4A-JQRS.SEM |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-18 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 236K |
代理商: | 2N6660C4A-JQRS.SEM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6660C4A | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N6660C4A-JQRS.RAD | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N6660C4A-JQRS.CVB | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N6660C4A-JQRS.GRPB | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2N6660CSM4 | 1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6660CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
2N6660CSM4_0809 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
2N6660-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.99A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2N6660-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET 60V 1.1A TO-205AD |
2N6660JANTX | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |