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参数资料
| 型号： | 2N6661.MOD |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 900 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2N6661.MOD |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6661
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 3092
Issue 5
Page 3 of 3
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
0.89
(0.035)
max.
12.70
(0.500)
min.
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
dia.
5.08 (0.200)
typ.
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
45°
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
1
2
3
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
TO39 PACKAGE (TO-205AD)
Pin 1 - Source
Pin 2 - Gate
Pin 3 / Case - Drain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661B-1 | 4 ohm, Si, POWER, FET, TO-205AD |
| 2N6661B | Si, POWER, FET, TO-205AD |
| 2N6661CSM4-JQR-BG4 | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
| 2N6661CSM4-JQR-AG4 | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
| 2N6661CSM4-QR-B | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6666 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2N6667_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
| 2N6667_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6667G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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