- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55783 > 2N6661 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6661 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 封装： | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2N6661 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6668 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6671 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6671 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6672R1 | 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6675 | 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6661_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6661_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
| 2N6661-2 | 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6661CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6661DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。