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参数资料
| 型号： | 2N6667BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/61页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | 2N6667BA |
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Selector Guide
2–12
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
2
100
MJD112 (2)
MJD117 (2)
1000 min
2
1.7
1.3
2
25(1)
20
3
40
MJD31
MJD32
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
100
MJD31C
MJD32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
4
80
MJD6039 (2)
MJD6036 (2)
1k/12k
2
1.7
1.2
2
25
20
100
MJD243
MJD253
40/180
0.2
0.16
0.04
1
40
12.5
5
25
MJD200
MJD210
45/180
2
0.15
0.04
2
65
12.5
6
100
MJD41C
MJD42C
15/75
3
0.4
0.15
3
20
8
80
MJD44H11
MJD45H11
40 min
4
0.5
0.14
5
50 typ
20
100
MJD122 (2)
MJD127 (2)
1k/12k
4
1.5
2
4
4(1)
20
10
60
MJD3055
MJD2955
20/100
4
1.5
3
2
20
80
MJD44E3 (2)
1k min
5
2
0.5
10
20
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
CASE 197A TO–204AE
(Used for high current types at end of
table. See types w/footnote(16).)
2
1
CASE 1–07
TO–204AA
.040
″
.060
″
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
4
200
MJ15018
30 min
1
20
150
250
MJ15020
MJ15021
30 min
1
20
150
5
700/1500
BU208A
2.5 min
4.5
8 typ
0.4 typ
4.5
4 typ
90
8
60
MJ1000(2)
1k min
3
90
2N6055(2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
80
MJ1001 (2)
1k min
3
90
2N6056 (2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(12)Case 369 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6667AF | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6668AK | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6668AS | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6668AU | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6668BC | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6667G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6668 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6668 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| 2N6668G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6671 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk |
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