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参数资料
| 型号： | 2N6715 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 2N6715 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Gain of 50 at IC= 1 Amp
*Ptot= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
2N6714 2N6715
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5V
Peak Pulse Current
ICM
2A
Continuous Collector Current
IC
1A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6714
2N6715
UNIT CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
40
50
V
IC=1mA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
30
40
V
IC=10mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
55V
IE=1mA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
0.1
A
A
VCB=40V, IE=0
VCB=50V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
0.1
A
VEB=5V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.5
V
IC=1A, IB=100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
1.2
V
IC=1A, VCE=1V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
hFE
55
60
50
250
55
60
50
250
IC=10mA, VCE=1V*
IC=100mA, VCE=1V*
IC=1A, VCE=1V*
Transition
Frequency
fT
50
500
50
500
MHz
IC=50mA, VCE=10V
Collector Base
Capacitance
CCB
30
pF
VCE=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
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2N6715
3-5
C
B
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