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参数资料
| 型号： | 2N6725 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2N6725 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 50 Volt VCEO
* Gain of 15k at IC = 0.5 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
2N6724 2N6725
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
50
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Peak Pulse Current
ICM
2A
Continuous Collector Current
IC
1A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6724
2N6725
UNIT CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
50
60
V
IC=1A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
40
50
V
IC=1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
10
V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
1.0
A
A
VCB=30V, IE=0
VCB=40V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
0.1
A
VEB=8V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
1.0
1.5
1.0
1.5
V
IC=200mA, IB=2mA*
IC=1A, IB=2mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
2.0
V
IC=1A, IB=2mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
2.0
V
IC=1A, VCE=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
hFE
25K
15K
4K
40K
25K
15K
4K
40K
IC=200mA, VCE=5V*
IC=500mA, VCE=5V*
IC=1A, VCE=5V*
Collector Base
Capacitance
CCB
10
pF
VCB=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
2N6724
2N6725
3-7
C
B
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6727-J61Z | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2N6726 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6725STOA | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6725STOB | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6725STZ | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6726 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Complimentary Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6726STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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