- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33294 > 2N7000-BP (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7000-BP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 918K |
| 代理商： | 2N7000-BP |
Features
&'"()*"+
,- ( .
,-" .-
)&- / (
0-.*!
Maximum Ratings @TA=25oC Unless Otherwise Noted
) 1 ("22°32°
-1 ("22°32°
%(1+2456(/
!"#
$%
Electrical Characteristics @ TA=25oC Unless Otherwise Noted
&'"
(
)*+
)
&,-'
) +
)
..
* )/$ + )
011
$
2
) +
)
3
4
4
25
25 ) +
)2
##
#6
3##
2#6
67'#
2#6
)2 +
)+
.) 89
030
0
03..0
0
) + ) +
4)5
Source-Drain Diode
!6"
2
0,#6"
$2
!"
TO-92
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.175
.185
4.45
4.70
B
.175
.185
4.46
4.70
C
.500
---
12.7
---
D
.016
.020
0.41
0.63
E
.135
.145
3.43
3.68
G
.095
.105
2.42
2.67
A
E
B
C
D
G
DIMENSIONS
D G
S
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000_ND26Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000D28Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000J24Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000J22Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000J59Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000BU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000BU_T | |
| 2N7000CSM | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1 |
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7000-D26Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。