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参数资料
| 型号： | 2N7000-T92-K |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | 2N7000-T92-K |
2N7000
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R502-059.B
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000L | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7000LTR | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7000 | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7002/E8 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000TA | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-TR1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-92VAR |
| 2N7000-TR7 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TO226 VNDS06 |
| 2N7000TRI | 制造商:SILICONIX 功能描述:2N7000 FORMED LEADS |
| 2N7000-TRI | 制造商:SILICONIX 功能描述:2N7000 FORMED LEADS |
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