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参数资料
| 型号： | 2N7000 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2N7000 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002/E8 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N7002/E9 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N7002CSM-JQR | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-A | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-B | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N-7000 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2N7000 AMO | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000,126 | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92 |
| 2N7000/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts |
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