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参数资料
| 型号： | 2N7000RLRPG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Oct/2007 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
2N7000G
2.0
1.0
1.8
1.6
1.4
T A = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
0.8
V DS = 10 V
- 55 ° C
125 ° C
25 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
8V
7V
6V
5V
4V
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
3V
9.0
10
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
9.0
10
2.4
2.2
V DS , DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.2
1.05
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 200 mA
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
V DS = V GS
I D = 1.0 mA
0.4
- 60
- 20
+ 20 + 60
+ 100
+ 140
0.7
- 60
- 20
+ 20 + 60
+ 100
+ 140
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Temperature versus Static
Drain ? Source On ? Resistance
http://onsemi.com
3
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASVMPC-80.000MHZ-LY-T3 | OSC 80.000 MHZ CMOS MEMS SMD |
| ASVMPC-76.800MHZ-LY-T3 | OSC 76.800 MHZ CMOS MEMS SMD |
| 3590S-6-501L | POT 500 OHM 7/8" RD WW |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92VAR |
| 2N7000TA | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| 2N7000-TR7 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TO226 VNDS06 |
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