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参数资料
| 型号： | 2N7002-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 2N7002DI 2N7002DITR |
2N7002
1.0
7
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
3.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
5
2.5
4
I D = 500mA
2.0
3
I D = 50mA
2
1.5
1.0
V GS = 10V,
I D = 200mA
1
0
-55
-30 -5 20 45 70 95 120 145
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
9
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
400
350
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
8
300
7
6
5
4
250
200
150
3
100
2
1
50
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
1
0
0
25 50 75 100 125 150 175
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
200
Fig. 5 Typical Transfer Characteristics
Fig. 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
2N7002
Document number: DS11303 Rev. 33 - 2
3 of 5
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-E3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-7-12-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL MOSFET/ SOT-23 |
| 2N70027F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| 2N7002-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002-7-F-31 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL MOSFET/ SOT-23 (LEAD FREE) |
| 2N7002A | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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